|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
4N04R8 — це потужний N-канальний MOSFET транзистор. призначений для роботи у низьковольтних високострумових схемах.
Транзистор витримує напругу до 40 В і здатний працювати з великими імпульсними струмами до 300 А. що робить його придатним для використання у апаратах точкового зварювання акумуляторів. силових ключах. DC-DC перетворювачах та інших високострумових пристроях.
Низький опір каналу забезпечує мінімальні втрати потужності та високий ККД при роботі з великими струмами.
Корпус TO-263 (D2PAK) призначений для поверхневого монтажу (SMD) і забезпечує ефективний тепловідвід через друковану плату.
Характеристики:
- Тип транзистора: MOSFET
- Канал: N-канальний
- Модель: 4N04R8
- Корпус: TO-263 (D2PAK)
- Тип монтажу: SMD
- Максимальна напруга (Vds): 40 V
- Максимальний струм (Id): до 300 A (імпульсний)
- Опір каналу (Rds(on)): ≈4–5 мΩ
- Температурний діапазон: −55…+150 °C
- Призначення: апарати точкового зварювання акумуляторів. силові ключі. DC-DC перетворювачі