IGBT транзистор G40N60UFD 600V 80A TO-247

G40N60UFD — це потужний IGBT транзистор виробництва ON Semiconductor. призначений для роботи у високовольтних силових електронних схемах.

Транзистор розрахований на напругу до 600 В і струм до 40 А. що дозволяє використовувати його у інверторах. імпульсних джерелах живлення. зварювальних апаратах. UPS та промисловій електроніці.

Завдяки високій швидкості перемикання та низьким втратам. транзистор забезпечує ефективну роботу у схемах перетворення енергії.

Корпус TO-247 забезпечує ефективний тепловідвід і дозволяє використовувати радіатор для роботи з великими потужностями.

Характеристики:

• Тип транзистора: IGBT
• Модель: G40N60UFD
• Виробник: ON Semiconductor
• Корпус: TO-247
• Максимальна напруга (Vce): 600 V
• Номінальний струм (Ic): до 40 A
• Імпульсний струм: до 80 A
• Тип монтажу: THT
• Призначення: інвертори. UPS. імпульсні блоки живлення. зварювальні апарати. силова електроніка