IGBT транзистор Toshiba GT40WR21 1800V 40A TO-3P

GT40WR21 — це потужний IGBT транзистор виробництва Toshiba. призначений для роботи у високовольтних силових схемах.

Транзистор витримує напругу до 1800 В і струм до 40 А. що дозволяє використовувати його у зварювальних інверторах. імпульсних джерелах живлення. індукційних нагрівачах та інших промислових пристроях.

IGBT поєднує високу швидкість перемикання MOSFET та низькі втрати біполярного транзистора. що забезпечує ефективну роботу у схемах перетворення енергії.

Корпус TO-3P забезпечує ефективний тепловідвід і можливість встановлення на радіатор.

Характеристики:

• Тип транзистора: IGBT
• Модель: GT40WR21
• Виробник: Toshiba
• Корпус: TO-3P
• Максимальна напруга (VCES): 1800 V
• Максимальний струм (IC): до 40 A
• Тип монтажу: THT
• Розміри корпусу: приблизно 18.9 × 15.1 × 4.5 мм
• Призначення: зварювальні інвертори. імпульсні джерела живлення. індукційні нагрівачі. промислова електроніка