IGBT транзистор G60T60AN3H 600V 120A TO-3P-N

G60T60AN3H — это мощный IGBT транзистор со встроенным быстрым диодом. предназначенный для применения в силовых инверторных схемах.

Транзистор рассчитан на напряжение до 600 В и номинальный ток до 60 А. что позволяет использовать его в сварочных инверторах. UPS. импульсных источниках питания и промышленной электронике.

Благодаря высокой скорости переключения и низким потерям транзистор обеспечивает эффективную работу в схемах преобразования энергии.

Корпус TO-3P обеспечивает хороший теплоотвод и возможность установки на радиатор.

Характеристики:

• Тип транзистора: IGBT
• Структура: N-канальный IGBT с диодом
• Модель: G60T60AN3H
• Производитель: CRMICRO
• Корпус: TO-3P
• Максимальное напряжение (Vce): 600 V
• Номинальный ток (Ic): до 60 A
• Ток при 25°C: до 120 A
• Импульсный ток (Icm): до 180 A
• Напряжение насыщения (Vce(sat)): ≈1.85 V
• Максимальная рассеиваемая мощность: ≈403 W
• Температурный диапазон: −40…+150 °C
• Тип монтажа: THT
• Назначение: сварочные инверторы. UPS. импульсные источники питания. силовая электроника