MOSFET транзистор G40T60AN3H 600V 40A TO-3P

G40T60AN3H — это мощный IGBT транзистор производства ON Semiconductor. предназначенный для применения в высоковольтной силовой электронике.

Транзистор рассчитан на напряжение до 600 В и ток до 40 А. что позволяет использовать его в инверторах. импульсных источниках питания. UPS. сварочных аппаратах и промышленной электронике.

Корпус TO-3P обеспечивает хороший теплоотвод и возможность установки на радиатор.

Характеристики:

• Тип транзистора: IGBT
• Модель: G40T60AN3H
• Производитель: ON Semiconductor
• Корпус: TO-3P
• Максимальное напряжение (Vce): 600 V
• Максимальный ток (Ic): до 40 A
• Тип монтажа: THT
• Назначение: инверторы. UPS. импульсные блоки питания. сварочные аппараты. силовая электроника