MOSFET транзистор G40T60AN3H 600V 40A TO-3P

G40T60AN3H — це потужний IGBT транзистор виробництва ON Semiconductor. призначений для роботи у високовольтних силових електронних схемах.

Транзистор розрахований на напругу до 600 В та струм до 40 А. що дозволяє використовувати його у інверторах. імпульсних джерелах живлення. UPS. зварювальних апаратах та іншій промисловій електроніці.

Завдяки високій швидкості перемикання та низьким втратам транзистор забезпечує ефективну роботу у схемах перетворення енергії.

Корпус TO-3P забезпечує ефективний тепловідвід і дозволяє встановлювати транзистор на радіатор.

Характеристики:

• Тип транзистора: IGBT
• Модель: G40T60AN3H
• Виробник: ON Semiconductor
• Корпус: TO-3P
• Максимальна напруга (Vce): 600 V
• Максимальний струм (Ic): до 40 A
• Тип монтажу: THT
• Призначення: інвертори. UPS. імпульсні блоки живлення. зварювальні апарати. силова електроніка